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SOI (Silicon-on-Insulator) 技术:

SOI (Silicon-on-Insulator) 技术: 传统CMOS技术的缺陷在于:衬底的厚度会影响片上的寄生电容,间接导致芯片的性能下降。 SOI技术主要是将源极/漏极和硅片衬底分开,以达到(部分)消除寄生电容...

SOI (Silicon-on-Insulator) 技术:

传统CMOS技术的缺陷在于:衬底的厚度会影响片上的寄生电容,间接导致芯片的性能下降。 SOI技术主要是将源极/漏极硅片衬底分开,以达到(部分)消除寄生电容的目的。

传统:

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SOI:

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制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构,之后的步骤跟传统工艺基本一致。)

1. 高温氧化退火:

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在硅表面离子注入一层氧离子层

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等氧离子渗入硅层, 形成富氧层

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高温退火

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成型

或者是

2. Wafer Bonding(用两块! )不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块!

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对硅2进行表面氧化

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对硅2进行氢离子注入

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翻面

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将氢离子层处理成气泡层

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切割掉多余部分

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成型 + 再利用

 

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