SOI (Silicon-on-Insulator) 技术：
SOI
(Silicon-on-Insulator) 技术：
传统CMOS技术的缺陷在于：衬底的厚度会影响片上的寄生电容，间接导致芯片的性能下降。
SOI技术主要是将源极/漏极和硅片衬底分开，以达到(部分)消除寄生电容...
SOI (Silicon-on-Insulator) 技术：
传统CMOS技术的缺陷在于：衬底的厚度会影响片上的寄生电容，间接导致芯片的性能下降。 SOI技术主要是将源极/漏极和硅片衬底分开，以达到(部分)消除寄生电容的目的。
传统：
SOI:
制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构，之后的步骤跟传统工艺基本一致。)
1.
高温氧化退火:
在硅表面离子注入一层氧离子层
等氧离子渗入硅层, 形成富氧层
高温退火
成型
或者是
2.
Wafer Bonding(用两块!
)不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块!
对硅2进行表面氧化
对硅2进行氢离子注入
翻面
将氢离子层处理成气泡层
切割掉多余部分
成型 + 再利用
- 发表于 2018-11-08 13:03
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- 分类：半导体制造
