ETCH
何谓蚀刻(Etch)?
答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:
答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻
蚀刻对象依薄膜种类可分为:
答：poly,oxide, metal : y' a) v& Y- Y+ N% |/ }
半导体中一般金属导线材质为何? + s. b$ w* f7 s; M
答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)
何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?
答：Oxide etch and nitride etch
半导体中一般介电质材质为何? " K2 m; ?+ \7 v
答：氧化硅/氮化硅
何谓湿式蚀刻- T" r. ^: q1 m2 K" h
答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除* O3 M" m3 e4 I" Q1 C8 Z5 l# T0 g
何谓电浆 Plasma? ( i( B3 \. U! r2 w. H
答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.
何谓干式蚀刻? , _9 b5 h5 n7 U# K! F3 l0 c6 m
答：利用plasma将不要的薄膜去除. K7 q( A/ M9 S+ Q  _' V" f% c4 f1 E2 K
何谓Under-etching(蚀刻不足)? , o# R5 u( J6 X# J' ~
答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留1 N! z3 i* H) \' [; q  B% O
何谓Over-etching(过蚀刻 )
答：蚀刻过多造成底层被破坏7 u# i2 {+ h" l, q; o
何谓Etch rate(蚀刻速率)
答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
何谓Seasoning(陈化处理) - R& f2 h3 B1 R
答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。! |/ i3 q& E, E7 X
Asher的主要用途:
答：光阻去除2 k. n: S+ k1 \" {% k$ t; A9 @! R