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WELL IMP中需要注入几次,每次IMP的位置大致怎样?

WELL IMP中需要注入几次,每次IMP的位置大致怎样?


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1 个回答

icbee - 半导体制程整合工程师
擅长:制程整合工程师
0.18UM制程中WELL IMP有三次:

WELL IMP注入的位置最深,用以调节井的浓度防止Latch-up效应。

CHANNEL IMP位置较浅,加大LDD之下部位的WELL浓度,使器件工作时该位置的耗尽层更窄,防止器件PUNCH THROUGH


VT注入,靠近器件表面,调节器件的开启电压。

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  • 周波 提出于 2018-10-22 21:43

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