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WELL IMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？

WELL IMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？


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1 个回答

icbee - 半导体制程整合工程师
擅长：制程整合工程师
0.18UM制程中WELL IMP有三次：

WELL IMP注入的位置最深，用以调节井的浓度防止Latch-up效应。

CHANNEL IMP位置较浅，加大LDD之下部位的WELL浓度，使器件工作时该位置的耗尽层更窄，防止器件PUNCH THROUGH。


VT注入，靠近器件表面，调节器件的开启电压。

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  • 周波 提出于 2018-10-22 21:43

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